Полупроводниковые пластины толщиной 4 мкм пошли в серию
Исследователи Токийского Технологического Института и компаний PEZY
Computing, Fujitsu Laboratories и WOW Alliance разработали технологию,
благодаря которой в промышленных условиях можно уменьшить до 4 мкм
толщину обычной 300-мм полупроводниковой пластины.
Так скажем, для выпуска памяти типа SRAM на основе 45-нм техпроцесса удалось уменьшить толщину пластины до 7 мкм. Опытная пластина для производства DRAM-памяти, обрабатываемая с применением 40-нм техпроцесса, имела толщину 4 мкм и представляла собой массив 2-Гбит кристаллов. Пластина оказалась настолько тонкой, что частично пропускала видимый свет.
От толщины пластины зависит, какую длину будут иметь межчиповые соединения типа сквозных TSVs-каналов. На сегодняшний день длина каждого TSVs-соединения достигает 100 мкм. Более тонкие пластины позволят значительно уменьшить длину соединений.
Благодаря уменьшению межчиповых соединений в микросхемах уменьшится паразитная емкость. Более короткий проводник обладает меньшим электрическим сопротивлением и меньшей паразитной емкостью. Поэтому тончайшие пластины - путь к снижению потребления и увеличению производительности. Также они позволят разместить в стеке больше кристаллов с применением вертикальных соединений.
Например, разработчики говорят о возможности использовать 16 кристаллов в стеке и о перспективе производства микросхем памяти терабитной емкости.
